MOS管分類及區(qū)別-結(jié)型MOS管
發(fā)布日期:2022-09-21
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MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。
FET的特點(diǎn)是:
①是電壓控制器件,則不需要大的信號(hào)功率。
②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的器件,是所謂單極晶體管,則無少子存儲(chǔ)與擴(kuò)散問題,速度高,噪音系數(shù)低;而且漏極電流Ids的溫度關(guān)系決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系,則電流具有負(fù)的溫度系數(shù),器件具有自我保護(hù)的功能。
③輸入端是反偏的p-n結(jié), 則輸入阻抗大, 便于匹配。
④輸出阻抗也很大, 呈現(xiàn)為恒流源,這與BJT大致相同。
⑤JFET一般是耗盡型的,但若采用高阻襯底, 也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價(jià)值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好工作的增強(qiáng)型器件。實(shí)際上,靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的JFET。⑥溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部,則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響,因此遷移率較高、噪聲較低。